SiC與GaN晶圓氧化工藝設(shè)備,工藝時間短,生產(chǎn)效率高,具有出色的工藝性能。
設(shè)備特點
◎ 型號:OXIDE150
◎ 工藝溫度:1380℃~1500℃
◎ 工藝氣體:H?/N?O/NO/O?/Ar?/N?
◎ 工藝壓力:100mbr-Atmospher
◎ 晶圓尺寸:≤150mm
◎ 產(chǎn)能:25或50 片/批
◎ 正常UP Time:98%
◎ 全自動化系統(tǒng)和MES服務(wù)
產(chǎn)品優(yōu)勢
◎ 高溫氧化工芝時間短
◎ 工藝室縣備DCE自清洗功能
◎ 良好的溫度均勻性和厚度均勻性
SiC與GaN晶圓氧化工藝設(shè)備,工藝時間短,生產(chǎn)效率高,具有出色的工藝性能。
設(shè)備特點
◎ 型號:OXIDE150
◎ 工藝溫度:1380℃~1500℃
◎ 工藝氣體:H?/N?O/NO/O?/Ar?/N?
◎ 工藝壓力:100mbr-Atmospher
◎ 晶圓尺寸:≤150mm
◎ 產(chǎn)能:25或50 片/批
◎ 正常UP Time:98%
◎ 全自動化系統(tǒng)和MES服務(wù)
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◎ 工藝室縣備DCE自清洗功能
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