氮化硅膜在MEMS中發(fā)揮關(guān)鍵作用，LPCVD技術(shù)助力低應(yīng)力氮化硅膜的制備。

氮化硅膜在MEMS中應(yīng)用十分**，可作為支撐層、絕緣層、鈍化層和硬掩膜使用。SiN極耐化學(xué)腐蝕，疏水性使它可以作為MEMS壓力傳感器、MEMS流量傳感器等的鈍化層使用。氮化硅的導(dǎo)電帶隙約為 5eV，比熱氧化物低很多，但它沒有施主和受主能級，所以表現(xiàn)為絕緣體。由于SiN具有約為1014Ω?cm的電阻率和107V/cm的介電強度，它通常可以作為絕緣層。同時，SiN具有良好的熱絕緣性約為20W/（m?K）和好的彈性模量約250GPa，使它常與SiO2組成復(fù)合支撐層使用。

氮化硅窗格是低應(yīng)力氮化硅膜*直接的應(yīng)用，其用量小，單價高。用于透射電鏡的氮化硅支撐膜窗格相比于傳統(tǒng)的銅網(wǎng)微柵具有熔點高、化學(xué)惰性強、強度高等特點，主要用于原位加熱、液體環(huán)境或含碳樣品的透射電鏡（TEM）觀察實驗。市面上要求的氮化硅窗格上表面的氮化硅厚度20nm~200nm，要求應(yīng)力接近零。那么，通過LPCVD如何制備低應(yīng)力甚至零應(yīng)力的氮化硅薄膜呢？

LPCVD是低壓化學(xué)氣相沉積（low-pressurechemical vapor deposition）的縮寫，低壓主要是相對于常壓的APCVD而言，主要區(qū)別點就是工作環(huán)境的壓強，LPCVD的壓強通常只有10~1000Pa，而APCVD壓強約為101.3KPa。

采用LPCVD制備化學(xué)計量比Si3N4，沉積溫度和壓強范圍分別為700~900°C和200~500mTorr。此工藝制造出來的Si3N4膜具有1GPa以上的大應(yīng)力，易引起百納米厚的膜層斷裂和脫離。因此，想要用到LPCVD的SiN大于100nm的膜，必須制備出低應(yīng)力膜層。該薄膜通常被稱為富硅氮化硅，工藝中用過量硅淀積，其過量硅可通過在淀積過程增加SiH2Cl2 （DCS）和NH3的比值實現(xiàn)，通常比例越高，應(yīng)力越小。如果 SiH2Cl2/ NH3的值為6:1淀積溫度為850°C且壓強為500mTorr，那么淀積出的薄膜接近零應(yīng)力。

圖 SiH2Cl2 （DCS）和NH3的比值與應(yīng)力及片內(nèi)均勻性的關(guān)系（引用：張澤東《低壓化學(xué)氣相沉積制備低應(yīng)力氮化硅膜的研究》）

沉積過程一般可概括為以下步驟：

1）給定組成（和流量）的反應(yīng)氣體和用來稀釋的惰性氣體引入反應(yīng)室。實驗中采用SiH2Cl2（DCS）和NH3作為反應(yīng)氣體，N2作為惰性氣體；

2）氣體物質(zhì)向襯底方向流動；

3）襯底吸收反應(yīng)物；

4）被吸附的原子遷移進行成膜化學(xué)反應(yīng)；

5）反應(yīng)的氣體副產(chǎn)物被排出反應(yīng)室。

沉積過程中有2點注意：1. 爐管入氣口和出氣口與爐管中心溫度差異達20°C，導(dǎo)致同一爐SiNx薄膜應(yīng)力出現(xiàn)大的波動，提高中心溫度后，片間應(yīng)力差異低于3%；2. 遠離入氣口硅片反應(yīng)氣體濃度低于入氣口，淀積的膜厚低于入氣口處。適當(dāng)增加反應(yīng)氣體流速。

與臥式LPCVD設(shè)備相比，立式LPCVD設(shè)備的主要優(yōu)點為：1） 工藝管為雙管式結(jié)構(gòu)，氣流場一致性好；2） 顆粒度低，易于控制，維護周期長；3 ） 反應(yīng)室內(nèi)氧氣濃度低、自然氧化層薄。在結(jié)構(gòu)上，工藝腔采用雙管式結(jié)構(gòu)，內(nèi)管為直筒式結(jié)構(gòu)，以提高氣流場均勻性；增加舟旋轉(zhuǎn)功能，以提高晶圓表面的氣體濃度一致性。